SDRAM AS4C16M16SA-6TINTR, 256Mbit Povrchová montáž 166MHz -40 °C až +85 °C, počet kolíků: 54, 3 V až 3,6 V, TSOP DDR

Alliance Memory 256 MB SDRAM je vysokorychlostní CMOS synchronní DRAM obsahující 256 Mbits. Je interně konfigurováno jako 4 bank 4M Word x 16 DRAM se synchronním rozhraním (všechny signály jsou registrovány na kladném okraji signálu hodin, CLK). Přístup pro čtení a zápis do paměti SDRAM je orientován na sérii

Rychlý přístup z hodin: 5/5.4 ns
Rychlý taktovací kmitočet: 166/143 MHz
Plně synchronní provoz
Interní architektura s pipelined
4M Word x 16-bit x 4-bank