SDRAM W949D2DBJX5I, 512Mbit Povrchová montáž 200MHz -40 °C až +85 °C, počet kolíků: 90, 1,7 V až 1,95 V, VFBGA LPDDR

VDD = 1,7∼1.95V
VDQ = 1,7∼1.95V
Šířka dat: X16 / x32
Taktovací frekvence: 200 MHz (-5),6 MHz (-6)
Standardní režim automatického obnovení
Částečné automatické obnovení pole (PASR)
Automatické obnovení teplotní kompenzace (ATCSR)
Režim vypnutí
Režim hlubokého vypnutí (režim DPD)
Programovatelný výkon výstupního buzení
Čtyři interní banky pro souběžný provoz
Datová maska (DM) pro zápis dat
Možnost zastavení hodin v době nečinnosti
Možnost Auto Pre-charge (Automatické nabíjení) pro každý přístup série snímků
Dvojnásobná datová rychlost pro výstup dat
Diferenciální signály hodin (CK a CK)
Obousměrný datový záblet (DQS)
Latence CAS: 2 a 3
Délka dávky: 2, 4, 8 a 16
Typ série: Sekvenční nebo Interleave
Obnovovací cykly 8K/64 mS
Rozhraní: Kompatibilní s LVCMOS
Podpůrný balíček:
60 kuliček VFBGA (x16)
90 kuliček VFBGA (x32)
Rozsah pracovních teplot
Prodloužené: -25 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.
Průmyslové: -40 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.

Jedná se o 512 MB paměti DDR SDRAM s nízkou spotřebou, která je organizována jako 2M slova x 4 banky x 32 bitů.

Typ série: Sekvenční nebo Interleave
Standardní režim automatického obnovení
PASR, ATCSR, režim vypnutí DPD
Programovatelný výkon výstupního buzení
Čtyři interní banky pro souběžný provoz
Obousměrné provedení, datové pulzy (DQS) jsou vysílány nebo přijímány spolu s daty, což umožňuje záznam dat na přijímači