standard: AEC-Q100Paměť FRAM FM25V05-G, SPI, 512kbit 64K x 8 bitůů 18ns 2 V až 3,6 V, počet kolíků: 8 -40 °C až +85 °C,
- Skladové číslo RS:
- 188-5420
- Výrobní číslo:
- FM25V05-G
- Výrobce:
- Infineon
97 k dispozici s dodáním do 1 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.
Standardní dodávka
Přidáno
Cena Kus (v zasuvnem prutu s 97)
318,43 Kč
(bez DPH)
385,30 Kč
(s DPH)
Ks | Per unit | za tubu* |
97 - 97 | 318,43 Kč | 30 887,32 Kč |
194 - 194 | 283,72 Kč | 27 520,74 Kč |
291 - 485 | 272,57 Kč | 26 439,58 Kč |
582 + | 266,84 Kč | 25 883,38 Kč |
*orientační cena |
- Skladové číslo RS:
- 188-5420
- Výrobní číslo:
- FM25V05-G
- Výrobce:
- Infineon
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
- Země původu (Country of Origin):
- US
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
512-Kbit ferroelektrická paměť s náhodným přístupem (F-RAM) logicky uspořádaná jako 64K x 8
Vysoká výdrž 100 bilionů (1014) čtení a zápis
Uchovávání 151 let údajů
Funkce NoDelay™ se zapíše
Advanced high-reliability ferroelectric process
Velmi rychlé sériové periferní rozhraní (SPI)
Frekvence až 40 MHz
Přímá výměna hardwaru pro sériová flash paměť a paměť EEPROM
Podporuje režim SPI 0 (0, 0) a režim 3 (1, 1)
Sofistikované schéma ochrany proti zápisu
Hardwarová ochrana pomocí kolíku Write Protect (WP)
Softwarová ochrana pomocí instrukcí Write Disable (Zakázat zápis)
Ochrana bloku softwaru pro pole 1/4, 1/2 nebo celé
ID zařízení
ID výrobce a ID produktu
Nízká spotřeba energie
Aktivní proud 300 μA při 1 MHz
90 μA (typ) klidového proudu
Proud v režimu spánku 5 μA
Nízkonapěťový provoz: VDD = 2,0 V až 3,6 V.
Průmyslová teplota: -40 °C až +85 °C.
Souprava s 8 vývody pro malý integrovaný obvod (SOIC)
Vysoká výdrž 100 bilionů (1014) čtení a zápis
Uchovávání 151 let údajů
Funkce NoDelay™ se zapíše
Advanced high-reliability ferroelectric process
Velmi rychlé sériové periferní rozhraní (SPI)
Frekvence až 40 MHz
Přímá výměna hardwaru pro sériová flash paměť a paměť EEPROM
Podporuje režim SPI 0 (0, 0) a režim 3 (1, 1)
Sofistikované schéma ochrany proti zápisu
Hardwarová ochrana pomocí kolíku Write Protect (WP)
Softwarová ochrana pomocí instrukcí Write Disable (Zakázat zápis)
Ochrana bloku softwaru pro pole 1/4, 1/2 nebo celé
ID zařízení
ID výrobce a ID produktu
Nízká spotřeba energie
Aktivní proud 300 μA při 1 MHz
90 μA (typ) klidového proudu
Proud v režimu spánku 5 μA
Nízkonapěťový provoz: VDD = 2,0 V až 3,6 V.
Průmyslová teplota: -40 °C až +85 °C.
Souprava s 8 vývody pro malý integrovaný obvod (SOIC)
Fram (Ferroelektrická RAM)
Fram (Ferroelectric Random Access Memory) je energeticky nezávislá paměť, která využívá feroelektrický film jako kondenzátor pro ukládání dat. F-RAM má vlastnosti zařízení ROM i RAM a je vybavena vysokorychlostním přístupem, vysokou odolností v režimu zápisu, nízkou spotřebou energie, nestabilitou a vynikající odolností proti neoprávněné manipulaci. Je proto ideální pamětí pro použití na čipových kartách, které vyžadují vysoké zabezpečení a nízkou spotřebu energie, ale také na mobilních telefonech a dalších zařízeních.
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
---|---|
Velikost paměti | 512kbit |
Organizace | 64K x 8 bitů |
Typ rozhraní | SPI |
Šířka datové sběrnice | 8bit |
Maximální čas náhodného přístupu | 18ns |
Typ montáže | Povrchová montáž |
Typ balení | SOIC |
Počet kolíků | 8 |
Rozměry | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Délka | 4.97mm |
Maximální provozní napájecí napětí | 3,6 V |
Šířka | 3.98mm |
Výška | 1.48mm |
Maximální pracovní teplota | +85 °C |
Minimální provozní napájecí napětí | 2 V |
Počet slov | 64k |
Minimální provozní teplota | -40 °C |
Počet bitů na slovo | 8bit |
Automobilový standard | AEC-Q100 |