Paměť FRAM FM25V20A-G, SPI, 2Mbit 256k x 8 bitůů 16ns 2 V až 3,6 V, počet kolíků: 8 -40 °C až +85 °C, SOIC
- Skladové číslo RS:
- 124-2990P
- Výrobní číslo:
- FM25V20A-G
- Výrobce:
- Infineon
768 k dispozici s dodáním do 1 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.
Standardní dodávka
Přidáno
Cena Kus (v zasuvnem prutu)
355,68 Kč
(bez DPH)
430,37 Kč
(s DPH)
Ks | Per unit |
10 - 24 | 355,68 Kč |
25 - 99 | 346,29 Kč |
100 - 499 | 337,65 Kč |
500 + | 329,25 Kč |
- Skladové číslo RS:
- 124-2990P
- Výrobní číslo:
- FM25V20A-G
- Výrobce:
- Infineon
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
- Země původu (Country of Origin):
- TH
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
Ferroelektrická paměť s náhodným přístupem 2 Mbit (F-RAM) je logicky uspořádána jako 256 K x 8
Vysoká výdrž 100 bilionů (1014) čtení a zápis
151-leté uchovávání dat (viz tabulka uchovávání dat a jejich trvání)
Funkce NoDelay™ se zapíše
Advanced high-reliability ferroelectric process
Velmi rychlý SPI
Frekvence až 40 MHz
Přímá výměna hardwaru pro sériová flash paměť a paměť EEPROM
Podporuje režim SPI 0 (0, 0) a režim 3 (1, 1)
Sofistikované schéma ochrany proti zápisu
Hardwarová ochrana pomocí kolíku Write Protect (WP)
Softwarová ochrana pomocí instrukcí Write Disable (Zakázat zápis)
Ochrana bloku softwaru pro pole 1/4, 1/2 nebo celé
ID zařízení
ID výrobce a ID produktu
Nízká spotřeba energie
Aktivní proud 300 μA při 1 MHz
Proud 100 μA (typ) v pohotovostním režimu
Proud v režimu spánku 3 μA
Nízkonapěťový provoz: VDD = 2,0 V až 3,6 V.
Průmyslová teplota: -40 °C až +85 °C.
Balení
Souprava s 8 vývody pro malý integrovaný obvod (SOIC)
8kolíková duální plochý bez kabelů (DFN)
Vysoká výdrž 100 bilionů (1014) čtení a zápis
151-leté uchovávání dat (viz tabulka uchovávání dat a jejich trvání)
Funkce NoDelay™ se zapíše
Advanced high-reliability ferroelectric process
Velmi rychlý SPI
Frekvence až 40 MHz
Přímá výměna hardwaru pro sériová flash paměť a paměť EEPROM
Podporuje režim SPI 0 (0, 0) a režim 3 (1, 1)
Sofistikované schéma ochrany proti zápisu
Hardwarová ochrana pomocí kolíku Write Protect (WP)
Softwarová ochrana pomocí instrukcí Write Disable (Zakázat zápis)
Ochrana bloku softwaru pro pole 1/4, 1/2 nebo celé
ID zařízení
ID výrobce a ID produktu
Nízká spotřeba energie
Aktivní proud 300 μA při 1 MHz
Proud 100 μA (typ) v pohotovostním režimu
Proud v režimu spánku 3 μA
Nízkonapěťový provoz: VDD = 2,0 V až 3,6 V.
Průmyslová teplota: -40 °C až +85 °C.
Balení
Souprava s 8 vývody pro malý integrovaný obvod (SOIC)
8kolíková duální plochý bez kabelů (DFN)
Fram (Ferroelektrická RAM)
Fram (Ferroelectric Random Access Memory) je energeticky nezávislá paměť, která využívá feroelektrický film jako kondenzátor pro ukládání dat. F-RAM má vlastnosti zařízení ROM i RAM a je vybavena vysokorychlostním přístupem, vysokou odolností v režimu zápisu, nízkou spotřebou energie, nestabilitou a vynikající odolností proti neoprávněné manipulaci. Je proto ideální pamětí pro použití na čipových kartách, které vyžadují vysoké zabezpečení a nízkou spotřebu energie, ale také na mobilních telefonech a dalších zařízeních.
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
---|---|
Velikost paměti | 2Mbit |
Organizace | 256k x 8 bitů |
Typ rozhraní | SPI |
Šířka datové sběrnice | 8bit |
Maximální čas náhodného přístupu | 16ns |
Typ montáže | Povrchová montáž |
Typ balení | SOIC |
Počet kolíků | 8 |
Rozměry | 5.33 x 5.33 x 1.78mm |
Délka | 5.33mm |
Maximální provozní napájecí napětí | 3,6 V |
Šířka | 5.33mm |
Výška | 1.78mm |
Maximální pracovní teplota | +85 °C |
Počet bitů na slovo | 8bit |
Minimální provozní napájecí napětí | 2 V |
Minimální provozní teplota | -40 °C |
Počet slov | 256K |