Paměť Flash W29N01HVBINA, Paralelní, 1GBit 128M x 8 bitů 25μs, počet kolíků: 63, VFBGA, 2,7 V až 3,6 V

Hustota: 1 Gb (řešení s jedním čipem)
VCC: 2,7 V až 3,6
Šířka sběrnice: X8
Provozní teplota
Průmyslové použití: -40 °C až 85 °C
Jednoúrovňová technologie (SLC).
Organizace
Hustota: 1 Gb/128 MB
Velikost stránky
2 112 bajtů (2048 + 64 bajtů)
Velikost bloku
64 stran (128 K + 4 K bajtů)
Nejvyšší výkon
Výkon čtení (max.)
Náhodné čtení: 25us
Sekvenční čtení: 25 ns
Výkon při mazání zápisu
Čas programu stránky: 250 us (typ.)
Čas vymazání bloku: 2 ms (typ.)
Výdrž 100 000 výmazů/cykly programů(1)
Uchovávání údajů za 10 let
Sada příkazů
Standardní sada příkazů NAND
Podpora doplňkového povelu
Kopírovat zpět
Nejnižší spotřeba energie
Čtěte: 25mA (typ.3V),
Program/Smazat: 25 mA (typ.3V),
Paměť CMOS, pohotovostní režim: 10uA (typ.)
Prostorově úsporné balení
48kolíková standardní TSOP1
48-ball VFBGA
63-ball VFBGA

Paměť Flash SLC NAND 1 GB s jednotnou velikostí stránky 2 KB+64B.

Šířka sběrnice: X8
Náhodné čtení: 25us
Doba stránkového programu: 250us(typ.)
Doba mazání bloku: 2 ms (typ.)