Paměť Flash W29N02GVBIAF, Paralelní, 2GBit 256M x 8 bitů 25μs, počet kolíků: 63, VFBGA, 2,7 V až 3,6 V

Hustota: 2 Gb (jednočipové řešení)
VCC: 2,7 V až 3,6
Šířka sběrnice: X8
Provozní teplota
Průmyslové použití: -40 °C až 85 °C
Jednoúrovňová technologie (SLC).
Organizace
Hustota: 2 Gb/256 MB
Velikost stránky
2 112 bajtů (2048 + 64 bajtů)
Velikost bloku
64 stran (128 K + 4 K bajtů)
Nejvyšší výkon
Výkon čtení (max.)
Náhodné čtení: 25us
Sekvenční čtení: 25 ns
Výkon při mazání zápisu
Čas programu stránky: 250 us (typ.)
Čas vymazání bloku: 2 ms (typ.)
Výdrž 100 000 vymazání/cykly programu(2)
Uchovávání údajů za 10 let
Sada příkazů
Standardní sada příkazů NAND
Podpora doplňkového povelu
Čtení sekvenční mezipaměti
Náhodné čtení mezipaměti
Program mezipaměti
Kopírovat zpět
Dvouúrovňový provoz
Kontaktujte Winbond pro funkci OTP
Kontaktujte společnost Winbond pro funkci Block-Lock
Nejnižší spotřeba energie
Čtení: 25mA (typ.3V)
Program/Smazat: 25 mA (typ.3V)
Paměť CMOS, pohotovostní režim: 10uA (typ.)
Prostorově úsporné balení
48kolíková standardní TSOP1
63-ball VFBGA

Paměť Flash SLC NAND s kapacitou 2 GB a jednotnou velikostí stránky 2KB+64B.

Šířka sběrnice: X8
Náhodné čtení: 25us
Doba stránkového programu: 250us(typ.)
Doba mazání bloku: 2 ms (typ.)
Podpora oblasti paměti OTP