Optron, řada: FOD, počet kolíků: 6 výstup IGBT, MOSFET povrchová montáž SOIC
- Skladové číslo RS:
- 186-8280
- Výrobní číslo:
- FOD8342R2
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
170,43 Kč
(bez DPH)
206,22 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 805 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 34,086 Kč | 170,43 Kč |
| 50 - 95 | 29,394 Kč | 146,97 Kč |
| 100 + | 25,49 Kč | 127,45 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 186-8280
- Výrobní číslo:
- FOD8342R2
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Výstupní zařízení | IGBT, MOSFET | |
| Maximální propustné napětí | 1.8V | |
| Počet kanálů | 1 | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typický čas náběhu | 38ns | |
| Maximální vstupní proud | 10 mA | |
| Izolační napětí | 5 kVrms | |
| Logický výstup | Ano | |
| Typický čas poklesu | 24ns | |
| Řada | FOD | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Výstupní zařízení IGBT, MOSFET | ||
Maximální propustné napětí 1.8V | ||
Počet kanálů 1 | ||
Počet kolíků 6 | ||
Typ balení SOIC | ||
Typický čas náběhu 38ns | ||
Maximální vstupní proud 10 mA | ||
Izolační napětí 5 kVrms | ||
Logický výstup Ano | ||
Typický čas poklesu 24ns | ||
Řada FOD | ||
OD8342T - vzdálenost plazů a vůlí 8 mm a izolační vzdálenost 0,4 mm pro dosažení spolehlivé a vysokonapěťové izolace
Výstupní proudový výkon 3,0 A Peak pro střední IGBT/MOSFET - použití tranzistorů MOSFET s kanálem P na výstupní scéně umožňuje přiklopit výstupní napětí blízko napájecí kolejnici
Potlačení minimálního společného režimu 20 kV/μs
Rozsah napájecího napětí: 10 V až 30 V
Rychlost rychlého přepínání při plném rozsahu provozní teploty - 210 ns Maximální prodleva šíření - 65 ns Maximální šířka impulzu bezobratná beznapěťová blokace (UVLO) s hysterezí
Rozšířený průmyslový rozsah teplot: -40 °C až 100 °C.
Aplikace
Budiče motorů AC a bezkomutátorových DC
Průmyslový invertor
Nepřerušitelný napájecí zdroj
Indukční vytápění
Izolovaný IGBT/Power MOSFET Gate Drive
Výstupní proudový výkon 3,0 A Peak pro střední IGBT/MOSFET - použití tranzistorů MOSFET s kanálem P na výstupní scéně umožňuje přiklopit výstupní napětí blízko napájecí kolejnici
Potlačení minimálního společného režimu 20 kV/μs
Rozsah napájecího napětí: 10 V až 30 V
Rychlost rychlého přepínání při plném rozsahu provozní teploty - 210 ns Maximální prodleva šíření - 65 ns Maximální šířka impulzu bezobratná beznapěťová blokace (UVLO) s hysterezí
Rozšířený průmyslový rozsah teplot: -40 °C až 100 °C.
Aplikace
Budiče motorů AC a bezkomutátorových DC
Průmyslový invertor
Nepřerušitelný napájecí zdroj
Indukční vytápění
Izolovaný IGBT/Power MOSFET Gate Drive
Související odkazy
- Optron počet kolíků: 6 výstup IGBT, MOSFET povrchová montáž SOIC
- Optron počet kolíků: 8 výstup IGBT, MOSFET průchozí otvor PDIP
- Optron počet kolíků: 8 výstup IGBT, MOSFET vstup DC povrchová montáž SMT
- Optron počet kolíků: 8 výstup IGBT, MOSFET vstup DC průchozí otvor PDIP
- Optron počet kolíků: 6 výstup Ovladač IPM vstup DC povrchová montáž SOIC
- Optron počet kolíků: 6 výstup IGBT Gate Drive, MOSFET vstup DC povrchová montáž SOIC
- Optron počet kolíků: 8 výstup MOSFET povrchová montáž SMT
- Optron počet kolíků: 8 výstup MOSFET povrchová montáž MDIP
