Modul budiče hradla, EB 2ED2410 3D 1BCSP, Budič hradla MOSFET, Infineon

Tato dceřiná deska patří do řady vyhodnocovacích desek, které lze kombinovat s vyhodnocovací základní deskou 2ED2410-EM 24 V (EB 2ED2410 3M). Tyto dceřiné desky se používají pro řešení různých MOSFET a shuntových uspořádání, která se obvykle vyskytují v moderních automobilových rozvodných systémech pro sítě desek 12 a 24 V.

Tato dceřiná deska EB 2ED2410 3D 1BCDP řeší jeden zátěžový kanál a sestává ze dvou výkonových MOSFETů OptiMOSTM5 60 V (1,1 mOhm) v konfiguraci společného zdroje back2back. Kromě toho lze zátěž předem nabít pomocí vyhrazené cesty pro předběžné nabití.

•EB 2ED2410 3D 1BCS: výkonový MOSFET OptiMOSTM5 60 V (1,1 mOhm), zpětný 2 zpětný – společný zdroj, shunt 0,5 mOhm

•EB 2ED2410 3D 1BCD:60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1,1 mOhm), back2back - společný odvod, 0,5 mOhm shunt

•EB 2ED2410 3D 1BCDP:60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1,1 mOhm), back2back - společný odvod, 0,5 mOhm shunt, s předběžným nabíjením

•Vhodné pro sítě desek 12 a 24 V

•V kombinaci s vyhodnocovací základní deskou 2ED2410-EM 24 V (EB 2ED2410 3M)

•0,5 mOhmový rezistor pro shunt

•Výkonový MOSFET OptiMOSTM5 60 V (1,1 ohmu) vhodný pro sítě desek 12 a 24 V

•Monitorování teploty MOSFET s rezistory NTC

•Vyhrazená cesta předběžného nabíjení pro zátěže s vysokou vstupní kapacitou

•Jmenovitý proud až 20 A nepřetržitě nebo 30 A po dobu 10 min