Vyhodnocovací deska, 3A Source, 4A Sink, 100V, High Frequency Half-Bridge Drivers with HI/LI or Tri-Level PWM Input and

Desky Renesas Electronics jsou navrženy tak, aby poskytovaly rychlý a komplexní způsob hodnocení vysokofrekvenčního budiče Half-bridge HIP2211 100V pro řízení Gates dvou N-kanálových MOSFET v konfiguraci Half-bridge. Na vyhodnocovací desce jsou zahrnuty dva N-kanálové tranzistory MOSFET (s duálním půdorysem, které podporují více sad, jako jsou TO220 a DPAK) a tlumivový filtr LC, aby bylo možné vyhodnotit zatížení s polomůstkovým pohonem, jako je synchronní snižovací spínací regulátor. Half-bridge ovladač HIP2211 je nabízen v balení 8 LD SOIC, 8 LD DFN nebo 10 LD DFN (s vylepšenou tepelnou EPAD). Tato vyhodnocovací deska je určena pro 10 LD DFN balíček. Balíček 8 LD DFN se vejde i na tuto desku. Obě desky pracují od napájecího napětí 6V do 18V DC s možností řízení obou high-side i low-side MOSFET v konfiguraci 100V Half-bridge.

3A zdroj a 4A dřez NMOS gate ovladače
Dioda vnitřního řazení a spouštěcího pásku pro řídicí jednotku zadní výklopné stěny na vysokonapěťové NFET
Až 100V odkaz na horní část zaváděcího pásku
Provoz napájení předpětí 6 v až 18 V.
Rychlé 15ns typické zpoždění šíření a 2ns typické zpoždění šíření zápas podporuje až 1MHz provoz