Infineon Mikrokontrolér 32 bit, standard: Ne ARM Cortex-M7 350 MHz 1024kB SRAM 32 kB RAM, počet kolíků: 176 kolíkový,

Všechny produkty z této kategorie
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na platu)*

5 201,80 Kč

(bez DPH)

6 294,20 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 374 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
10 - 39520,18 Kč
40 - 79503,63 Kč
80 - 119491,28 Kč
120 +479,43 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
260-1111P
Výrobní číslo:
XMC7200D-F176K8384AA
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

Mikrokontrolér

Řada

XMC7200

Typ balení

TQFP

Počet kolíků

176

Jádro zařízení

ARM Cortex-M7

Šířka datové sběrnice

32bit

Velikost programové paměti

1024kB

Maximální frekvence hodin

350MHz

Velikost paměti RAM

32kB

Maximální napájecí napětí

5.5V

Minimální provozní teplota

-40°C

Počet programovatelných vstupů/výstupů

220

Maximální provozní teplota

125°C

Normy/schválení

No

Délka

24mm

Výška

1.5mm

Minimální napájecí napětí

2.7V

Automobilový standard

Ne

ADC

96 x 12 Bit

Typ programové paměti

SRAM

Architektura založená na instrukcích

RISC

Mikrokontrolér Infineon, velikost programové paměti 1024 KB, maximální frekvence 350 MHz - XMC7200D-F176K8384AA


Tento vysoce výkonný tranzistor MOSFET od společnosti Infineon je určen pro použití v různých aplikacích řízení spotřeby. Je vybaven pouzdrem TO-220 a poskytuje robustní výkon s maximálním trvalým proudem 50 A a maximálním napětím 30 V. Tento tranzistor MOSFET s nízkým zapínacím odporem a vysokou schopností rozptylu energie zajišťuje optimální účinnost v náročných elektrických systémech.

Charakteristiky a výhody


• Nízký odpor drain-source (7,8 mΩ) snižuje energetické ztráty a zvyšuje provozní účinnost

• Maximální příkon 68 W zajišťuje spolehlivý provoz při vysokém zatížení

• Široký rozsah prahového napětí hradla (1V až 2,2V) nabízí flexibilní řízení pro různé úrovně napětí

• Vysoká tepelná stabilita s maximální provozní teplotou +175 °C

• Konstrukce s vylepšeným režimem pro efektivní spínání a přesné řízení toku proudu

• Robustní tolerance napětí na hradle a zdroji (-20V až +20V) zajišťuje ochranu proti přepětí

• Jednotranzistorová konfigurace ideální pro konstrukce s omezeným prostorem

Aplikace


• Vhodné pro DC/DC měniče a napájecí zdroje

• Používá se při synchronní rektifikaci pro zvýšení účinnosti měniče

• Ideální pro řízení motorů v průmyslových automatizačních systémech

• Použití v systémech řízení baterií pro elektrická vozidla

• Použitelné v systémech obnovitelné energie a spotřební elektronice

Jaká je výhoda nízkého odporu drain-source (RDS(on))?


Nízká hodnota RDS(on) minimalizuje ztráty vedením a tvorbu tepla, čímž zlepšuje celkovou účinnost systémů řízení spotřeby a zajišťuje, že se více energie přemění na užitečnou práci a neztratí se jako teplo.

Jak si MOSFET poradí s vysokým ztrátovým výkonem?


Zařízení s maximálním příkonem 68 W je navrženo tak, aby zvládalo značné množství tepla během provozu a udržovalo stabilitu i v náročných podmínkách.

Jaký význam má rozsah prahového napětí hradla?


Široký rozsah prahového napětí hradla (1 V až 2,2 V) poskytuje flexibilitu při návrhu obvodů a umožňuje MOSFETu efektivně pracovat s různými řídicími napětími, takže je vhodný pro různé aplikace vyžadující přesné řízení napětí.