onsemi JFET MMBFJ176 Typ P-kanálový JFET-kanálový 15 V, konfigurace: Jednoduchý -2 to -25 mA, SOT-23, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 806-4314P
- Výrobní číslo:
- MMBFJ176
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet 500 jednotky/-ek (dodává se na cívce)*
3 023,50 Kč
(bez DPH)
3 658,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 9 700 jednotka(y) budou odesílané od 27. dubna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 500 - 950 | 6,047 Kč |
| 1000 + | 5,24 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 806-4314P
- Výrobní číslo:
- MMBFJ176
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Podtyp | JFET | |
| Typ produktu | JFET | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 15V | |
| Konfigurace | Jednoduchý | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 225mW | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 250Ω | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Odvod zdrojového proudu Ids | -2 to -25 mA | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.93mm | |
| Délka | 2.92mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Podtyp JFET | ||
Typ produktu JFET | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 15V | ||
Konfigurace Jednoduchý | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 225mW | ||
Maximální odpor zdroje Rds 250Ω | ||
Počet kolíků 3 | ||
Odvod zdrojového proudu Ids -2 to -25 mA | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.93mm | ||
Délka 2.92mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
Tranzistory JFET
Sortiment diskrétních polovodičových součástek JFET (tranzistorů pracujících na poli) a HFET (tranzistor s vysokou elektronovou mobilitou/heterogenní FET).