Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600
Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
• Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V. • Velmi nízký VCEsat • Nízké ztráty při vypnutí • Krátký proud zadních výklopných dveří • Nízká EMI • Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules Infineon
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
