onsemi IGBT Typ N-kanálový 120 A 650 V, TO-3PN, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 140 ns
- Skladové číslo RS:
- 864-8795P
- Výrobní číslo:
- FGA60N65SMD
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
1 232,50 Kč
(bez DPH)
1 491,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Omezený stav zásob
- Plus 29 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 + | 123,25 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 864-8795P
- Výrobní číslo:
- FGA60N65SMD
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 120A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 600W | |
| Typ balení | TO-3PN | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 140ns | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.5V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Řada | Field Stop | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 120A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 600W | ||
Typ balení TO-3PN | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 140ns | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.5V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Řada Field Stop | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.