Infineon IGBT modul Typ N-kanálový 95 A 650 V, EASY2B, počet kolíků: 27 kolíkový Svorka 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 jednotka)*

1 106,36 Kč

(bez DPH)

1 338,70 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 30 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +1 106,36 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
838-6961
Výrobní číslo:
F3L75R07W2E3B11BOMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT modul

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

95A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

250W

Typ balení

EASY2B

Typ montáže

Svorka

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

27

Spínací napětí

1MHz

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.7V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

12mm

Délka

56.7mm

Automobilový standard

Ne

IGBT moduly, Infineon


Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.

IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy