IGBT IXYN80N90C3H1 N-kanálový 70 A 900 V, SOT-227B, počet kolíků: 4 50kHz Jednoduchý

Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.

Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky

IGBT dispectes & Moduly, IXYS

Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.