STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 200 A 600 V, ISOTOP, počet kolíků: 4 kolíkový Svorka

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 2 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*

1 147,56 Kč

(bez DPH)

1 388,54 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 576 jednotka(y) budou odesílané od 27. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
2 +573,78 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
686-8348P
Výrobní číslo:
STGE200NB60S
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

200A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

600W

Typ balení

ISOTOP

Typ montáže

Svorka

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

4

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.6V

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Řada

Powermesh

Normy/schválení

ECOPACK, JESD97

Výška

12.2mm

Délka

38.2mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.