IGBT STGE200NB60S N-kanálový 200 A 600 V, Isotop, počet kolíků: 4 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 686-8348P
- Výrobní číslo:
- STGE200NB60S
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet 2 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
1 178,68 Kč
(bez DPH)
1 426,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 577 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 2 + | 589,34 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 686-8348P
- Výrobní číslo:
- STGE200NB60S
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 200 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 600 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±20V | |
| Typ balení | Isotop | |
| Typ montáže | Montáž do panelu | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Rozměry | 38.2 x 25.5 x 9.1mm | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 200 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 600 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V | ||
Typ balení Isotop | ||
Typ montáže Montáž do panelu | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 4 | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Rozměry 38.2 x 25.5 x 9.1mm | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.