STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 200 A 600 V, ISOTOP, počet kolíků: 4 kolíkový Svorka
- Skladové číslo RS:
- 686-8348P
- Výrobní číslo:
- STGE200NB60S
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet 2 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
1 147,56 Kč
(bez DPH)
1 388,54 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 577 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 2 + | 573,78 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 686-8348P
- Výrobní číslo:
- STGE200NB60S
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 200A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 600W | |
| Typ balení | ISOTOP | |
| Typ montáže | Svorka | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.6V | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Řada | Powermesh | |
| Výška | 12.2mm | |
| Normy/schválení | ECOPACK, JESD97 | |
| Délka | 38.2mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 200A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 600W | ||
Typ balení ISOTOP | ||
Typ montáže Svorka | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.6V | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Řada Powermesh | ||
Výška 12.2mm | ||
Normy/schválení ECOPACK, JESD97 | ||
Délka 38.2mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.