IGBT STGE200NB60S N-kanálový 200 A 600 V, Isotop, počet kolíků: 4 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

620,46 Kč

(bez DPH)

750,76 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • 10 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 577 jednotka(y) budou odesílané od 09. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 1620,46 Kč
2 +589,34 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
686-8348
Výrobní číslo:
STGE200NB60S
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

200 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Typ balení

Isotop

Typ montáže

Montáž do panelu

Typ kanálu

N

Počet kolíků

4

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

38.2 x 25.5 x 9.1mm

Minimální provozní teplota

-55 °C

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy