STMicroelectronics IGBT STGD4H60DF Jeden kolektor 4 A 600 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový 1 Povrch

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

23,51 Kč

(bez DPH)

28,448 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 300 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 2811,755 Kč23,51 Kč
30 - 5810,675 Kč21,35 Kč
60 - 1189,485 Kč18,97 Kč
120 - 2388,50 Kč17,00 Kč
240 +7,605 Kč15,21 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
287-7045
Výrobní číslo:
STGD4H60DF
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

4A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Počet tranzistorů

1

Maximální ztrátový výkon Pd

75W

Konfigurace

Jeden kolektor

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.7V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

2.3mm

Normy/schválení

RoHS

Délka

1.7mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Polní zarážka hradla STMicroelectronics Trench Gate je IGBT vyvinutá pomocí pokročilé proprietární struktury polního zarážky hradla Trench Gate. Toto zařízení je součástí řady H IGBT, která představuje optimální kompromis mezi vodivostí a spínacími ztrátami pro maximalizaci účinnosti převodníků s vysokou spínací frekvencí. Navíc mírně pozitivní teplotní koeficient VCE(sat) a velmi úzké rozložení parametrů vedou k bezpečnějšímu paralelnímu provozu.

Nízký tepelný odpor

Jmenovitý zkratek

Měkká a rychlá antiparalelní dioda

Související odkazy