STMicroelectronics IGBT STGD4H60DF Jeden kolektor 4 A 600 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový 1 Povrch

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

54,83 Kč

(bez DPH)

66,344 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 300 jednotka(y) budou odesílané od 25. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 2827,415 Kč54,83 Kč
30 - 5824,945 Kč49,89 Kč
60 - 11822,105 Kč44,21 Kč
120 - 23819,885 Kč39,77 Kč
240 +17,785 Kč35,57 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
287-7045
Výrobní číslo:
STGD4H60DF
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

4A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Počet tranzistorů

1

Maximální ztrátový výkon Pd

75W

Typ balení

TO-252

Konfigurace

Jeden kolektor

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.7V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

2.3mm

Délka

1.7mm

Normy/schválení

RoHS

Šířka

6.7mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Polní zarážka hradla STMicroelectronics Trench Gate je IGBT vyvinutá pomocí pokročilé proprietární struktury polního zarážky hradla Trench Gate. Toto zařízení je součástí řady H IGBT, která představuje optimální kompromis mezi vodivostí a spínacími ztrátami pro maximalizaci účinnosti převodníků s vysokou spínací frekvencí. Navíc mírně pozitivní teplotní koeficient VCE(sat) a velmi úzké rozložení parametrů vedou k bezpečnějšímu paralelnímu provozu.

Nízký tepelný odpor

Jmenovitý zkratek

Měkká a rychlá antiparalelní dioda

Související odkazy