Infineon IGBT IHW20N65R5XKSA1 20 A 650 V, PG-TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

1 162,14 Kč

(bez DPH)

1 406,19 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • 120 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 9038,738 Kč1 162,14 Kč
120 +35,519 Kč1 065,57 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7440
Výrobní číslo:
IHW20N65R5XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

20A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

150W

Typ balení

PG-TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.35V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

5.21mm

Šířka

16.13 mm

Délka

21.1mm

Normy/schválení

JESD-022, RoHS

Automobilový standard

Ne

Infineon IGBT je reverzní IGBT s monolitickou tělesnou diodou. Tento IGBT má výkonnou monolitickou zpětnou vodivou diodu s nízkým směrovým napětím a je certifikován podle normy JESD022 pro cílové aplikace. Má snadné paralelní spínání díky kladnému teplotnímu koeficientu v VCEsat. Tento IGBT se doporučuje pro indukční vaření, měničové mikrovlnné trouby a rezonanční měniče.

Nízká EMI

Bez obsahu halogenů

V souladu s RoHS

Vysoká odolnost

Bezolovnatá povrchová úprava

Stabilní chování při teplotě

Velmi nízký VCEsat a nízký Eoff

Velmi těsné rozložení parametrů

Související odkazy

Recently viewed