IGBT BIDW20N60T 20 A 600 V, TO-247 1

Skladové číslo RS:: 253-3505P
Výrobní číslo:: BIDW20N60T
Výrobce:: Bourns

2394 k dispozici s dodáním do 1 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.

Přidáno

Cena Kus (v zasuvnem prutu)

69,60 Kč

(bez DPH)

84,22 Kč

(s DPH)

ks	Per unit
10 - 48	69,60 Kč
50 - 98	65,88 Kč
100 - 248	57,24 Kč
250 +	56,04 Kč

Typy balení:

Standardní balení

Výrobní balení

Skladové číslo RS:: 253-3505P
Výrobní číslo:: BIDW20N60T
Výrobce:: Bourns

Technické reference

Datasheet - BIDW20N60T

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Zařízení Bourns IGBT kombinuje technologii z MOS brány a bipolárního tranzistoru pro optimální součást pro vysokonapěťové a vysokoproudové aplikace. Toto zařízení využívá technologii Trench-Gate Field-Stop, která zajišťuje větší kontrolu dynamických charakteristik s nižšími ztrátami při vedení a spínání. Tato konstrukce navíc poskytuje kladný teplotní koeficient.

600 V, 20 A, Nízké napětí nasycení kolektor-emitor (VCE(sat)) Technologie Trench-Gate Field-Stop Optimalizovaná pro vedení s nízkou spínací ztrátou v souladu s RoHS

Specifikace

Vlastnost	Hodnota
Maximální stejnosměrný proud kolektoru	20 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru	600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor	±20V
Maximální ztrátový výkon	192 W
Počet tranzistorů	1
Konfigurace	Jednoduchá dioda
Typ balení	TO-247