IGBT BIDNW30N60H3 30 A 600 V, TO-247N 1
- Skladové číslo RS:
- 253-3503P
- Výrobní číslo:
- BIDNW30N60H3
- Výrobce:
- Bourns
Mezisoučet 2 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
121,33 Kč
(bez DPH)
146,81 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 2 294 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 2 + | 60,665 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 253-3503P
- Výrobní číslo:
- BIDNW30N60H3
- Výrobce:
- Bourns
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Bourns | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 30 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 600 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±20V | |
| Počet tranzistorů | 1 | |
| Maximální ztrátový výkon | 230 W | |
| Konfigurace | Jednoduchá dioda | |
| Typ balení | TO-247N | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Bourns | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 30 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 600 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V | ||
Počet tranzistorů 1 | ||
Maximální ztrátový výkon 230 W | ||
Konfigurace Jednoduchá dioda | ||
Typ balení TO-247N | ||
Zařízení Bourns IGBT kombinuje technologii z MOS brány a bipolárního tranzistoru pro optimální součást pro vysokonapěťové a vysokoproudové aplikace. Toto zařízení využívá technologii Trench-Gate Field-Stop, která zajišťuje větší kontrolu dynamických charakteristik s nižším nasycovacím napětím kolektor-emitor (VCE(sat)) a menšími spínacími ztrátami.
600 V, 30 A, Nízké napětí nasycení kolektor-emitor (VCE(sat)) Technologie Trench-Gate Field-Stop s nízkou spínací ztrátou, rychlé spínání v souladu s RoHS