IGBT BIDNW30N60H3 30 A 600 V, TO-247N 1

Skladové číslo RS:: 253-3503P
Výrobní číslo:: BIDNW30N60H3
Výrobce:: Bourns

2348 k dispozici s dodáním do 1 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.

Přidáno

Cena Kus (v zasuvnem prutu)

78,24 Kč

(bez DPH)

94,67 Kč

(s DPH)

ks	Per unit
10 - 48	78,24 Kč
50 - 98	73,92 Kč
100 - 248	64,20 Kč
250 +	63,00 Kč

Typy balení:

Standardní balení

Výrobní balení

Skladové číslo RS:: 253-3503P
Výrobní číslo:: BIDNW30N60H3
Výrobce:: Bourns

Technické reference

Datasheet - BIDNW30N60H3

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Zařízení Bourns IGBT kombinuje technologii z MOS brány a bipolárního tranzistoru pro optimální součást pro vysokonapěťové a vysokoproudové aplikace. Toto zařízení využívá technologii Trench-Gate Field-Stop, která zajišťuje větší kontrolu dynamických charakteristik s nižším nasycovacím napětím kolektor-emitor (VCE(sat)) a menšími spínacími ztrátami.

600 V, 30 A, Nízké napětí nasycení kolektor-emitor (VCE(sat)) Technologie Trench-Gate Field-Stop s nízkou spínací ztrátou, rychlé spínání v souladu s RoHS

Specifikace

Vlastnost	Hodnota
Maximální stejnosměrný proud kolektoru	30 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru	600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor	±20V
Maximální ztrátový výkon	230 W
Počet tranzistorů	1
Konfigurace	Jednoduchá dioda
Typ balení	TO-247N