Infineon IGBT v technologii TRENCHSTOP TM 5 IKP40N65H5XKSA1 Typ N-kanálový 74 A 650 V, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 215-6663
- Výrobní číslo:
- IKP40N65H5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
265,28 Kč
(bez DPH)
320,99 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Výroba končí
- Posledních 420 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 53,056 Kč | 265,28 Kč |
| 25 - 45 | 43,966 Kč | 219,83 Kč |
| 50 - 120 | 42,78 Kč | 213,90 Kč |
| 125 - 245 | 41,694 Kč | 208,47 Kč |
| 250 + | 40,656 Kč | 203,28 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-6663
- Výrobní číslo:
- IKP40N65H5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 74A | |
| Typ produktu | IGBT v technologii TRENCHSTOP TM 5 | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250W | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±30 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.65V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Řada | High Speed Fifth Generation | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 74A | ||
Typ produktu IGBT v technologii TRENCHSTOP TM 5 | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250W | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±30 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.65V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení Pb-free lead plating, RoHS | ||
Řada High Speed Fifth Generation | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 650v pátá generace duopack izolované-gate bipolární tranzistor a dioda vysoké rychlosti spínací série v technologii trenchstop.
Vysoká účinnost
Nízké ztráty spínání
Vyšší spolehlivost
Nízká elektromagnetická interference
Související odkazy
- Infineon IGBT v technologii TRENCHSTOP TM 5 Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Vývojová deska Vyhodnocovací deska 650 V TRENCHSTOP IGBT 7 T7 Infineon 7th Generation of TRENCHSTOPTM IGBT, pro použití
- Infineon IGBT IKP40N65F5XKSA1 Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT IGP40N65H5XKSA1 Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT IKW40N65F5FKSA1 Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT IGW40N65F5FKSA1 Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor