STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 60 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 206-8630P
- Výrobní číslo:
- STGWA30IH65DF
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 25 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
3 035,65 Kč
(bez DPH)
3 673,125 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 30. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 25 - 45 | 121,426 Kč |
| 50 - 120 | 118,264 Kč |
| 125 - 245 | 115,30 Kč |
| 250 + | 112,286 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 206-8630P
- Výrobní číslo:
- STGWA30IH65DF
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 60A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 108W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.05V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 5.1mm | |
| Řada | STG | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 15.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 60A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 108W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 4 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.05V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 5.1mm | ||
Řada STG | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 15.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.
Určeno pouze pro jemné komutace
Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.
VCE (SAT) = 1.55 v (typ.) PŘI IC = 30 A
Minimalizovaný proud v koncích
Velmi přesné rozložení parametrů
Nízký tepelný odpor
Dioda s nízkým poklesem napětí při volnoběhu v balení
Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)