IGBT SIA456DJ-T1-GE3
- Skladové číslo RS:
- 180-7793
- Výrobní číslo:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
68,64 Kč
(bez DPH)
83,05 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 1 120 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 + | 6,864 Kč | 68,64 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 180-7793
- Výrobní číslo:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET Vishay
Vishay povrchová montáž N-channel SC-70-6 MOSFET je nový věkový produkt s odtokovým zdrojem napětí 200V a maximální hradlo-zdroj napětí 16V. Má odpor zdroje vypouštění 1380mms při napětí hradla 4.5V. Má maximální rozptyl výkonu 19W a trvalý vypouštěcí proud 2.6A. Má minimální a maximální napájecí napětí 1,8 v resp. 4,5 V. Má aplikaci v posilovací převodník pro přenosná zařízení. Tento produkt byl optimalizován pro nižší ztráty při spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.
Charakteristiky a výhody
• Bez halogenů
• Nízká odolnost
• Nový tepelně vylepšený PowerPAK SC-70 balíček - malá plocha půdorysu
• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.
• TrenchFET Power MOSFET
• Nízká odolnost
• Nový tepelně vylepšený PowerPAK SC-70 balíček - malá plocha půdorysu
• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.
• TrenchFET Power MOSFET
Certifikace
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• BS EN 61340-5-1:2007