onsemi IGBT FGH60T65SQD-F155 Typ P-kanálový 60 A 650 V, TO-247 G03, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

235,94 Kč

(bez DPH)

285,48 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 418 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 18117,97 Kč235,94 Kč
20 +101,81 Kč203,62 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
178-4627
Výrobní číslo:
FGH60T65SQD-F155
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

60A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

333W

Typ balení

TO-247 G03

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ P

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±30 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.6V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Řada

Field Stop 4th Generation

Jmenovitá energie

50mJ

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Společnost ON Semiconductor přináší novou řadu tranzistorů IGBT 4. generace s inovativní technologií Field-Stop IGBT. Nabízí optimální výkon v aplikacích solárních invertorů, UPS, svařovacích zařízení, telekomunikací, ESS a PFC, kde je třeba zajistit nízké ztráty vedením a při spínání.

Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C

Kladný teplotní součinitel pro snadný paralelní provoz

Kompatibilita s vysokými proudy

Nízké saturační napětí: VCE(sat) = 1,6 V (typ.) při IC = 60 A

Vysoká vstupní impedance

Rychlé spínání

Velmi přesné rozložení parametrů

Aplikace

Solární invertory, UPS, svařovací zařízení, telekomunikace, ESS, PFC

Související odkazy