onsemi IGBT FGH60T65SQD-F155 Typ P-kanálový 60 A 650 V, TO-247 G03, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 178-4627
- Výrobní číslo:
- FGH60T65SQD-F155
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
291,95 Kč
(bez DPH)
353,26 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 398 jednotka(y) budou odesílané od 27. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 145,975 Kč | 291,95 Kč |
| 20 + | 125,845 Kč | 251,69 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-4627
- Výrobní číslo:
- FGH60T65SQD-F155
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 60A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 333W | |
| Typ balení | TO-247 G03 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.6V | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±30 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Řada | Field Stop 4th Generation | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Jmenovitá energie | 50mJ | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 60A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 333W | ||
Typ balení TO-247 G03 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Počet kolíků 3 | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.6V | ||
Maximální napětí brány VGEO ±30 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Řada Field Stop 4th Generation | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Jmenovitá energie 50mJ | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Společnost ON Semiconductor přináší novou řadu tranzistorů IGBT 4. generace s inovativní technologií Field-Stop IGBT. Nabízí optimální výkon v aplikacích solárních invertorů, UPS, svařovacích zařízení, telekomunikací, ESS a PFC, kde je třeba zajistit nízké ztráty vedením a při spínání.
Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C
Kladný teplotní součinitel pro snadný paralelní provoz
Kompatibilita s vysokými proudy
Nízké saturační napětí: VCE(sat) = 1,6 V (typ.) při IC = 60 A
Vysoká vstupní impedance
Rychlé spínání
Velmi přesné rozložení parametrů
Aplikace
Solární invertory, UPS, svařovací zařízení, telekomunikace, ESS, PFC
Související odkazy
- onsemi IGBT Typ P-kanálový 60 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- onsemi Dioda FFSH1065B-F155 10 A 650 V počet kolíků: 2 kolíkový
- onsemi Dioda FFSH2065B-F155 20 A 650 V počet kolíků: 2 kolíkový
- onsemi Dioda FFSH5065B-F155 50 A 650 V počet kolíků: 2 kolíkový
- onsemi IGBT 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- onsemi IGBT 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Povrch
- onsemi IGBT 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- onsemi IGBT FGHL75T65MQDT 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch