IGBT IHW30N135R3FKSA1 N-kanálový 30 A 1350 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Skladové číslo RS:
166-0979
Výrobní číslo:
IHW30N135R3FKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

30 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1350 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

349 W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Minimální provozní teplota

-40 °C

Kapacitance hradla

2066pF

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Země původu (Country of Origin):
MY

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600


Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.


IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy