IGBT IKQ75N120CT2XKSA1 P-kanálový 75 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 20kHz 1 Jednoduchý

V reakci na tržní požadavky na stále větší množstvím silikonu v menších, prostorově úsporných pouzdrech představuje společnost Infineon nové pouzdro TO-247PLUS pro 1200V IGBT. Vyšší proudová kapacita, lepší tepelné parametry. Pouzdro TO-247PLUS má stejné vnější rozměry jako průmyslový standard TO-247, ale protože nemá otvor pro šroub, umožňuje použití IGBT až 75 A 1200 V v jednom pouzdro s diodou 75 A.

Vysoká výkonová hustota – IGBT až 75 A 1200 V v jednom pouzdru s diodou 75 A na půdorysu TO-247
O 20 % nižší hodnota R th(jh) v porovnání s TO-247 se 3 piny
Prodloužená povrchová vzdálenost kolektor-emitor 4,25 mm
Větší povrchová vzdálenost díky plně zapouzdřenému čelu pouzdra
Vyšší systémová výkonová hustota – vyšší I c při stejných systémových teplotních parametrech
Nižší tepelný odpor R th(jh) a o cca 15 % účinnější rozptyl tepla u TO-247PLUS oproti TO-247
Vyšší spolehlivost, delší životnost zařízení