Infineon IGBT IKW30N60H3FKSA1 Typ N-kanálový 30 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 4 kusech)*

226,992 Kč

(bez DPH)

274,66 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 52 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 200 jednotka(y) budou odesílané od 27. května 2026
  • Plus 240 jednotka(y) budou odesílané od 10. června 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
4 - 1656,748 Kč226,99 Kč
20 - 9643,473 Kč173,89 Kč
100 - 19637,668 Kč150,67 Kč
200 - 49635,568 Kč142,27 Kč
500 +34,89 Kč139,56 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
110-7756
Výrobní číslo:
IKW30N60H3FKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

30A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

187W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.5V

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

JEDEC, RoHS, Pb-free lead plating

Řada

High speed switching third generation

Jmenovitá energie

1.72mJ

Automobilový standard

Ne

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650


Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.

• Velmi nízký VCEsat

• Nízké ztráty při vypnutí

• Krátký proud zadních výklopných dveří

• Nízká EMI

• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy