IGBT RGT8BM65DGTL1 N-kanálový 12 A 650 V, TO-252GE, počet kolíků: 3 1

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 páska po 10 kusech)*

326,04 Kč

(bez DPH)

394,51 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 2 490 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za pásku*
10 - 9032,604 Kč326,04 Kč
100 - 24030,974 Kč309,74 Kč
250 +28,701 Kč287,01 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
265-325
Výrobní číslo:
RGT8BM65DGTL1
Výrobce:
ROHM
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

ROHM

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

12 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±30V

Počet tranzistorů

1

Maximální ztrátový výkon

62 W

Konfigurace

Jednoduché

Typ balení

TO-252GE

Typ montáže

Povrchová montáž

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

IGBT ROHM přispívají k úsporám energie, vysoké účinnosti a širokému spektru vysokonapěťových a vysokoproudových aplikací. IGBT se vyznačuje nízkým kolektorovým a emitorovým napětím nasycení, díky čemuž je vysoce účinný pro různé aplikace. Nabízí zkratovou odolnost 5 mikrosekund, což zajišťuje robustní výkon v podmínkách poruchy. Navíc je vybaven vestavěnou velmi rychlou a měkkou rekuperační diodou řady RFN.

Nízké spínací ztráty
Bezolovnaté pokovování
V souladu s RoHS

Související odkazy