- Skladové číslo RS:
- 184-521
- Výrobní číslo:
- GT60J323(Q)
- Výrobce:
- Toshiba
5 k dispozici s dodáním následující pracovní den, pokud objednávku uskutečníte do 16:00.
s dodáním do 3 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.
Přidáno
Cena Kus
161,29 Kč
(bez DPH)
195,16 Kč
(s DPH)
Ks | Per unit |
1 - 24 | 161,29 Kč |
25 - 99 | 126,46 Kč |
100 - 249 | 109,67 Kč |
250 - 499 | 102,01 Kč |
500 + | 100,53 Kč |
- Skladové číslo RS:
- 184-521
- Výrobní číslo:
- GT60J323(Q)
- Výrobce:
- Toshiba
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
- Země původu (Country of Origin):
- JP
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
---|---|
Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 60 A |
Maximální napětí emitoru/kolektoru | 600 V |
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±25V |
Typ balení | TO-3PLH |
Typ montáže | Průchozí otvor |
Typ kanálu | N |
Počet kolíků | 3 |
Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý |
Rozměry | 20.5 x 5.2 x 26mm |
Maximální pracovní teplota | +150 °C |
Minimální provozní teplota | -55 °C |
- Skladové číslo RS:
- 184-521
- Výrobní číslo:
- GT60J323(Q)
- Výrobce:
- Toshiba