Fotodioda, řada: J MICROFJ-30035-TSV-TR1 Si Povrchová montáž balení SMT onsemi

Mikrobuňky s vysokou hustotou
Snímače řady J jsou vybaveny jedinečným Terminal s "rychlým výstupem" od on Semiconductor
Teplotní stabilita 21,5 mV/°C.
Výjimečná jednotnost rozkladných napětí ±250 mV
K dispozici v soupravě třísek TSV, která je kompatibilní s novým pájením
Velmi nízká úroveň temných poměrů typicky 50 kHz/mm2
Optimalizováno pro aplikace s velmi výkonným časováním, například TOF-PET
3 mm, 4 mm a 6 mm snímače
Předpětí< 30 V.
Výsledkem je 50% účinnost detekce fotonů (PDE) při 420 nm
Zlepšená doba náběhu signálu a doba obnovení mikrobuněk
Odstraňuje potřebu aktivního řízení napětí
Špičková jednotnost
Díky balení TSV je téměř nulové mrtvé místo, které umožňuje vytvoření polí s vysokým počtem výplně a je bez obsahu železných kovů
Aplikace
Zdravotnické zobrazování
Nebezpečí a ohrožení
3D rozsah a snímání
Biophotonics & Sciences
Fyzika vysokých energií