STMicroelectronics, standard: Ne EEPROM M24512E-FMN6TP, 512 kB 8ů, I2C 450 ns, počet kolíků: 8 kolíkový, SO-8N

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 páska po 20 kusech)*

107,94 Kč

(bez DPH)

130,60 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 460 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za pásku*
20 - 1805,397 Kč107,94 Kč
200 - 4805,113 Kč102,26 Kč
500 - 9804,755 Kč95,10 Kč
1000 - 19804,372 Kč87,44 Kč
2000 +4,212 Kč84,24 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
151-728
Výrobní číslo:
M24512E-FMN6TP
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

EEPROM

Velikost paměti

512kB

Typ rozhraní

I2C

Typ balení

SO-8N

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Organizace

64k x 8 Bit

Maximální frekvence hodin

1MHz

Minimální napájecí napětí

1.65V

Maximální napájecí napětí

5.5V

Počet bitů na slovo

8

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

85°C

Řada

M24256E-F

Normy/schválení

RoHS

Maximální čas náhodného přístupu

450ns

Automobilový standard

Ne

Zachování dat

200year

Napájecí proud

1mA

Země původu (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics M24512E-F je 512bitová I²C-kompatibilní paměť EEPROM (elektricky mazatelná programovatelná paměť) uspořádaná jako 64 K x 8 bitů. Může pracovat s napájecím napětím od 1,6 V do 5,5 V s taktovací frekvencí až 1 MHz. Zařízení nabízí tři 8bitové registry, a to registr DTI (Device Type Identifier), registr CDA (Configurable Device Address) a registr SWP (Software Write Protection).

Zápis bajtů a stránek do 4 ms (typicky 3,1 ms)

Zvýšená ochrana proti ESD nebo latch-up

Více než 4 miliony cyklů zápisu

Konfigurovatelný registr adresy zařízení

Registr identifikátoru typu zařízení (pouze pro čtení)

Předprogramovaná adresa zařízení

Registr softwarové ochrany proti zápisu

Hardwarová ochrana zápisu celého paměťového pole

Režimy náhodného a sekvenčního čtení

Související odkazy