Modul budiče hradla IRS2005STRPBF CMOS, LSTTL, počet kolíků: 8, SOIC

Integrovaný obvod ovladače hradla Infineon EiceDRIVER 200 V s vysokou a nízkou stranou s typickým zdrojem 0,29 A a snižujícím proudem 0,6 A v 8vodičovém pouzdru SOIC pro IGBT a MOSFET. K dispozici také ve 14vodičovém pouzdru MLPQ 4x4. Integrovaný obvod budiče hradla na vysoké a nízké straně je izolovaný budič MOSFET s posunem úrovně 200 V s výstupními kanály se závislými referenčními výstupy na vysoké a nízké straně. Proprietární technologie HVIC a CMOS odolné proti zarážení umožňují odolnou monolitickou konstrukci. Logický vstup je kompatibilní se standardním výstupem CMOS nebo LSTTL, až do 3,3 V logiky. Výstupní budiče jsou vybaveny bufferovým stupněm s vysokým pulzním proudem navrženým pro minimální křížové vedení budiče. Plovoucí kanál lze použít k pohonu výkonového tranzistoru MOSFET s N-kanálem v konfiguraci High-Side, která pracuje až do napětí 200 V. Zpoždění šíření jsou odpovídající, aby se zjednodušilo použití HVIC ve vysokofrekvenčních aplikacích.

Blokování při nízkém napětí pro VCC, VBS
Kompatibilní s logickým vstupem 3,3 V, 5 V a 15 V
Tolerance na záporné přechodové napětí
Odpovídající zpoždění šíření
Navrženo pro použití s bootstrap napájecími zdroji
Výstup ve fázi se vstupy
Provozní rozsah -40 °C až 125 °C