Modul budiče hradla 2ED2184S06FXUMA1 CMOS, LSTTL 2,5 A 10 → 20V, DSO

Vysokoproudý a vysokorychlostní ovladač hradla Infineon 650 V s polovičním můstkem pro tranzistory MOSFET a IGBT s typickým snímačem a zdrojovým proudem 2,5 A v pouzdru DSO-8. Založeno na technologii SOI společnosti Infineon s vynikající odolností a odolností vůči šumu proti zápornému přechodovému napětí na kolíku VS. V zařízení nejsou přítomny žádné parazitní tyristorové struktury, takže neexistuje žádný parazitní zámek při všech teplotních a napěťových podmínkách.

Negativní odolnost vůči přechodovým napětím 100 V
Integrovaná ultrarychlá bootstrap dioda s nízkým odporem, nižší náklady na BOM
Plovoucí kanál navržený pro bootstrap
Integrovaná ochrana proti průchodu s vestavěnou dobou mrtvého stavu (400 ns)
Maximální napájecí napětí 25 V
O 50 % nižší ztráty při posunu úrovně