Modul budiče hradla DGD2003S8-13 CMOS, TTL 290.69 A 10 → 20V, počet kolíků: 8, SOIC

DiodesZetex vyrábí vysokonapěťový/vysokorychlostní budič hradla schopný řídit tranzistory MOSFET s kanálem N v konfiguraci s polovičním můstkem. Techniky zpracování vysokého napětí umožňují, aby se horní strana DGD2003 při zavádění přepla na 200 V. Logické vstupy DGD2003 jsou kompatibilní se standardními úrovněmi TTL a CMOS (až 3,3 v) pro snadné propojení s řídícími zařízeními. DGD2003 je nabízen v balení SO-8 a pracuje v rozsahu teplot -40°C až +125°C.

Široký budicí napětí nízkonapěťového hradla 10V až 20V plovoucí high-side budič v provozu bootstrap na 200V pohony 2 N-kanálové MOSFET v konfiguraci Half-bridge pod blokováním napětí pro vysokonapěťové a nízkonapěťové budiče Rozšířený teplotní rozsah -40°C až +125°C.