Modul budiče hradla DGD2190MS8-13 CMOS, TTL 290 mA, 690 mA, počet kolíků: 8, SOIC

DiodesZetex vyrábí budič s vysokým napětím a vysokou rychlostí, který je schopen řídit tranzistory MOSFET s kanálem N v konfiguraci s polovičním můstkem. Techniky zpracování vysokého napětí umožňují, aby se horní strana DGD2005 při zavádění přepla na 200 V. Zpoždění šíření 30ns (maximální), které se shoduje mezi budiče na vysoké a nízké straně, umožňuje vysokofrekvenční přepínání. DGD2005 je k dispozici v prostorově úsporném BALENÍ SO-8 a pracuje v rozšířeném teplotním rozsahu -40°C až +125°C.

Široký budicí napětí nízkonapěťového hradla 10V až 20V plovoucí high-side budič v provozu bootstrap na 600V pohony 2 N-kanálové tranzistory MOSFET v konfiguraci Half-bridge pod blokováním napětí pro vysokonapěťové a nízkonapěťové budiče Rozšířený teplotní rozsah -40°C až +125°C.