Budič brány MOSFET NCV57091BDWR2G 6,5 A 22V, počet kolíků: 8, SOIC

Budič hradla ON Semiconductor je izolovaný dvoukanálový budič hradla se zdrojem 4.5−A/9−A a proudem dřezu Peak. Jsou navrženy pro rychlé přepínání na výkonové tranzistory MOSFET a výkonové spínače SIC MOSFET. Zařízení NCP51561 nabízí krátká a sladěná zpoždění při šíření. Dvě nezávislé a 5 kVrms interní galvanické oddělení od vstupu ke každému výstupu a interní funkční izolace mezi dvěma výstupními budiče umožňuje pracovní napětí až 1500 VDC. Tento ovladač lze použít v libovolné konfiguraci dvou spínačů na nízké straně, dvou spínačů na vysoké straně nebo budiče s polovičním můstkem s programovatelnou dobou mrtvého chodu. ENA/DIS pin vypne oba výstupy současně, když je nastaven nízký nebo vysoký pro ZAPNUTÍ nebo VYPNUTÍ režimu. Model NCP51561 nabízí další důležité funkce ochrany, jako je nezávislé blokování pod napětím pro budiče hradel a funkce nastavení mrtvého času.

4.5 A Peak zdroj, 9 A výstupní proud chladiče Peak
Flexibilní: Dvojitý budič s nízkou stranou, Dual High-Side nebo Half-Bridge Gate
Nezávislé ochrany UVLO pro oba výstupní ovladače
Výstupní napájecí napětí od 6.5 v do 30 v s 5−v a 8−v pro MOSFET, 13−v a 17−v UVLO pro SIC, prahy.
Odolnost vůči přechodovým jevům v běžném režimu CMTI > 200 v/ns
Typické zpoždění šíření 36 ns s max. 5 ns zpoždění párování na kanál a 5 ns Max puls−Width zkreslení
Uživatelsky programovatelný vstupní logický jednoduchý nebo duální vstupní režim přes ANB a REŽIM AKTIVACE nebo DEAKTIVACE
Uživatelem programovatelný mrtvý čas