Budič brány MOSFET NCP51561BBDWR2G 5V, počet kolíků: 16, SOIC

OVLADAČ hradla IGBT/MOSFET izolovaného VYSOKÉHO proudu ON Semiconductor je jednokanálový. Hradlové budiče IGBT/MOSFET s interní galvanickou izolací 5 kVrms, navržené pro vysokou účinnost a spolehlivost systému v aplikacích s vysokým výkonem. Zařízení přijímají doplňkové vstupy a v závislosti na konfiguraci kolíků nabízejí možnosti, jako je například Active Miller Clamp (verze A/D/F), záporný napájecí zdroj (verze B) a samostatné výstupy ovladače High a Low (SOUTH a OUTL) (verze C/E) pro pohodlí návrhu systému. Budič pojme široký rozsah vstupního předpětí a úrovní signálu od 3,3 v do 20 v a jsou k dispozici v širokém těle SOIC−8 balení.

Vysoký výstupní proud Peak (+6,5 A/−6.5 A)
Nízký pokles napětí upínací jednotky eliminuje potřebu záporného napájecího zdroje, aby se zabránilo zapnutí rušivého hradla (verze A/D/F)
Krátké zpoždění šíření s přesným shodováním
Sevření hradla IGBT/MOSFET během zkratu
IGBT/MOSFET hradlo aktivní, spouštění
Úzké prahové hodnoty UVLO pro flexibilitu Bias
Široký rozsah napětí Bias včetně záporného napětí VEE2 (verze B)
Logický vstup 3.3 v, 5 v a 15 V.
Galvanická izolace 5 kVrms
Vysoká odolnost proti přechodům
Vysoká elektromagnetická odolnost