Budič brány MOSFET STGAP2SICDTR CMOS, TTL 4 A 3.1 V, 5.5 V, počet kolíků: 36, SO-36W

STMicroelectronics STGAP2SiCD je budič s duálním hradlem pro MOSFETy SIC, který zajišťuje galvanickou izolaci mezi jednotlivými hradlovými budovami a nízkonapěťovým řídicím a propojovacím obvodem. Ovladač brány je charakterizován proudovou schopností 4 A a výstupy rail-to-rail, takže je vhodný pro aplikace se středním a vysokým výkonem, jako je konverze výkonu a měniče průmyslových motorů. Oddělené výstupní kolíky umožňují nezávisle optimalizovat zapnutí a vypnutí pomocí vyhrazeného rezistorů brány, zatímco funkce svorky Miller umožňuje vyhnout se hradlovým špičkám během rychlých komutací v topologiích polovičních můstků. Zařízení integruje funkce ochrany: K dispozici jsou speciální SD a BRZDOVÉ kolíky, UVLO a tepelné vypnutí jsou součástí snadno navrhnout vysoce spolehlivé systémy.

4 A svorka Miller
Funkce UVLO
Konfigurovatelná blokovací funkce
Speciální SD a BRZDOVÉ čepy
Napájecí napětí hradla do 26 V.
Vstupy 3,3 V, 5 V TTL/CMOS s hysterezí
Ochrana proti vypnutí teploty
Funkce pohotovostního režimu
Galvanické oddělení 6 kV
Široké tělo SO-36W

V topologiích s polovičním můstkem funkce blokování brání tomu, aby byly výstupy současně vysoké, čímž se v případě nesprávných logických vstupních příkazů vyhne podmínkám prostření. Blokovací funkci lze deaktivovat vyhrazeným konfiguračním kolíkem, který umožňuje nezávislý a paralelní provoz obou kanálů. Výsledky zpoždění vstupu do výstupu jsou obsaženy v rozsahu 75 ns, což zajišťuje vysokou přesnost řízení PWM. K dispozici je pohotovostní režim, který snižuje spotřebu energie při volnoběhu.