Budič brány MOSFET NCP51100ASNT1G 6,5 A 11 → 18V, počet kolíků: 5, SOT23-5

ON Semiconductor NCP51100ASNT1G je 2 Hradlové budiče je navržen tak, aby řídit N-kanál vylepšení-režim MOSFET v low-side přepínání aplikací tím, že poskytuje vysoké Peak proudové impulzy během krátkých spínacích intervalů. Ovladač je k dispozici se vstupními prahy TTL. Vnitřní obvody zajišťují funkci blokování pod napětím tak, že drží výstup na nízké úrovni, dokud se napájecí napětí nedostane do provozního rozsahu. NCP51100 poskytuje rychlý přepínací výkon MOSFET, který pomáhá maximalizovat účinnost ve vysoce frekvenčních výkonových měničů.

Má rozsah provozního napětí 11 v až 18 V.
Nabízí 3 A Peak dřezu / zdroj s VDD 12 V.
Nabízí 2.5 A dřezu / 1.8 Zdroj s VOUT 6 V.
Má 14 ns / 7 ns typických dob náběhu/dobývnutí (zatížení 1 NF)