standard: AEC-Q100Budič brány MOSFET Si8275DBD-IM1 TTL 1.8 A, 4 A 5.5V, počet kolíků: 14, QFN

Zařízení Si8275DBD-IM1 nabízejí možnosti PRO VSTUPY VIA, VIB a duální ovladač. Model Si8275DBD-IM1 s vysokou odolností proti hluku eliminuje riziko spojené s faster a spínacími rychlostmi. Přechodné jevy s vysokým šumem generované faster Velmi vysoká schopnost zajištění 400 kV/μs činí zařízení Si8275DBD-IM1 extrémně robustní, brání trvalému poškození západky a má ochranu před závadou UVLO, rušivý obvod pro filtrování šumových vstupů a vysoce přesnou programovatelnost mrtvého času (kolík DT). Díky této funkci mohou uživatelé přesně řídit „mrtvý čas“ mezi dvěma přepínacími ovladači, aby optimalizovali efektivitu a bezpečnost systému. Budiče pracují s širokým rozsahem napětí 2,5 v - 5,5 v VDD a maximálním napájecím napětím 30 V.