standard: AEC-Q100Budič brány MOSFET SI8274GB4D-IM1 TTL 1.8 A, 4 A 5.5V, počet kolíků: 14, QFN

Zařízení Si8274GB4D-IM1 nabízejí možnosti pro vstupy PWM a budič na vysoké straně / nízké straně. Model Si8274GB4D-IM1 s vysokou odolností proti šumu eliminuje riziko spojené s faster. Přechodné jevy s vysokým šumem generované faster Velmi vysoká schopnost zajištění 400 kV/μs činí zařízení Si8274GB4D-IM1 extrémně robustní, brání trvalému poškození západky a má ochranu před závadou UVLO, obvod pro rušení izolace pro filtrování šumových vstupů a vysoce přesnou programovatelnost doby mrtvého času (kolík DT). Díky této funkci mohou uživatelé přesně řídit „mrtvý čas“ mezi dvěma přepínacími ovladači, aby optimalizovali efektivitu a bezpečnost systému. Budiče pracují s širokým rozsahem napětí 2,5 v - 5,5 v VDD a maximálním napájecím napětím 30 V.