Digitální tranzistor FDG6321C dvojitý, SC-70, počet kolíků: 6

Tyto tranzistory s duálním efektem N a P-Channel logickým vylepšením na poli jsou vyráběny pomocí proprietární technologie DMOS s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou je speciálně uzpůsoben pro minimalizaci odolnosti proti stavu. Toto zařízení bylo navrženo speciálně pro aplikace s nízkým napětím jako náhrada za bipolární digitální tranzistory a malé signální MOSFETY. Vzhledem k tomu, že nejsou vyžadovány rezistory proti zkreslení, může tento duální digitální tranzistor FET nahradit několik různých digitálních tranzistorů různými hodnotami odporu.

N-Ch
0,50 A, 25 V
RDS(ON) = 0,45 Ω @ VGS = 4,5 V.
RDS(ON) = 0,60 Ω @ VGS = 2,7 V.
P-Ch
-0,41 A, -25 V
RDS(ON) = 1,1 Ω při VGS = -4,5 V.
RDS(ON) = 1,5 Ω @ VGS = -2,7 V.
Velmi malý popis balení SC70-6.
Požadavky na pohon zadní výklopné stěny velmi nízké úrovně umožňující přímý provoz v obvodech 3 V (VGS(th)< 1,5 V).
Hradítko pro odolnost proti ESD (>model lidského těla 6 kV).
Aplikace
Tento produkt slouží pro obecné použití a je vhodný pro mnoho různých aplikací.