Paměťový čip SRAM CY62148ELL-55SXI, 4Mbit 512 k x 8 bitů 1MHz 4,5 V až 5,5 V, počet kolíků: 32, SOIC
- Skladové číslo RS:
- 188-5324
- Výrobní číslo:
- CY62148ELL-55SXI
- Výrobce:
- Infineon
Dočasně není skladem, produkt bude expedován dne 11. 4. 2024. Dodání do 4 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.
Cena Kus (v zasuvnem prutu s 25)
206,80 Kč
(bez DPH)
250,23 Kč
(s DPH)
ks | Per unit | za tubu* |
25 - 25 | 206,80 Kč | 5 170,08 Kč |
50 - 75 | 201,22 Kč | 5 030,40 Kč |
100 - 225 | 195,84 Kč | 4 896,00 Kč |
250 - 475 | 190,88 Kč | 4 771,93 Kč |
500 + | 186,13 Kč | 4 653,13 Kč |
*orientační cena |
- Skladové číslo RS:
- 188-5324
- Výrobní číslo:
- CY62148ELL-55SXI
- Výrobce:
- Infineon
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
- Země původu (Country of Origin):
- US
Podrobnosti o výrobku
Asynchronní paměť SRAM Micropower (MBL), Cypress Semiconductor
Paměťová zařízení MBL s nízkou spotřebou SRAM mají vysokou účinnost a nabízejí špičkové specifikace týkající se rozptýlení v pohotovostním režimu (maximální).
Velmi vysoká rychlost: 45 ns
Rozsah napětí: 4,5 V až 5,5 V.
Kompatibilní s CY62148B.
Mimořádně nízký pohotovostní výkon
Typický pohotovostní proud: 1 μA
Maximální pohotovostní proud: 7 μA (průmyslový)
Mimořádně nízký aktivní výkon
Typický aktivní proud: 2,0 mA při f = 1 MHz
Snadné rozšíření paměti díky funkcím CE a OE
Automatické vypnutí, pokud je výběr zrušen
Doplňkový polovodič oxidu kovu (CMOS) pro optimální rychlost a výkon
K dispozici v balících SODIC[1] s tenkým pláštěm o malém nástihovém průřezu (TSOP) II bez obsahu Pb a s 32kolíkovým integrovaným obvodem (SOIC)
Rozsah napětí: 4,5 V až 5,5 V.
Kompatibilní s CY62148B.
Mimořádně nízký pohotovostní výkon
Typický pohotovostní proud: 1 μA
Maximální pohotovostní proud: 7 μA (průmyslový)
Mimořádně nízký aktivní výkon
Typický aktivní proud: 2,0 mA při f = 1 MHz
Snadné rozšíření paměti díky funkcím CE a OE
Automatické vypnutí, pokud je výběr zrušen
Doplňkový polovodič oxidu kovu (CMOS) pro optimální rychlost a výkon
K dispozici v balících SODIC[1] s tenkým pláštěm o malém nástihovém průřezu (TSOP) II bez obsahu Pb a s 32kolíkovým integrovaným obvodem (SOIC)
SRAM (statická paměť s přímým přístupem)
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
---|---|
Velikost paměti | 4Mbit |
Organizace | 512 k x 8 bitů |
Počet slov | 512k |
Počet bitů na slovo | 8bit |
Maximální čas náhodného přístupu | 55ns |
Šířka adresové sběrnice | 8bit |
Frekvence hodin | 1MHz |
Nízký výkon | Ano |
Typ časování | Asynchronní |
Typ montáže | Povrchová montáž |
Typ balení | SOIC |
Počet kolíků | 32 |
Rozměry | 20.75 x 11.43 x 2.88mm |
Výška | 2.88mm |
Maximální provozní napájecí napětí | 5,5 V |
Šířka | 11.43mm |
Minimální provozní teplota | -40 °C |
Maximální pracovní teplota | +85 °C |
Délka | 20.75mm |
Minimální provozní napájecí napětí | 4,5 V |