Dioda VB30200C-E3/4W 30A 200V Schottky, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 1.1V
- Skladové číslo RS:
- 818-4383
- Výrobní číslo:
- VB30200C-E3/4W
- Výrobce:
- Vishay
Produkt již není v nabídce
Alternativa
Tento produkt není v současné chvíli dostupný. Prohlédněte si alternativní výrobek, který jsme pro Vás našli.
- Skladové číslo RS:
- 818-4383
- Výrobní číslo:
- VB30200C-E3/4W
- Výrobce:
- Vishay
Legislativa a životní prostředí
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Podrobnosti o výrobku
TMBS - Trench MOS Barrier Schottky Retifiers, 30 A až 80A, Vishay Semiconductor
Řada usměrňovačů Trench MOS Barrier Schottky Vishay obsahuje patentovanou brániční konstrukci. Usměrňovače TMBS nabízejí oproti usměrňovačům s planární Schottky několik výhod. Při provozním napětí 45 V a nad usměrňovači Schottky mohou značně ztratit výhodu vysokých spínacích rychlostí a nízkého poklesu vpřed. Patentovaná struktura TMBS se těmito problémy zabývá zmenšením menšinových injekcí nosičů do unášené oblasti, čímž minimalizuje uložené poplatky a zlepšuje přepínací rychlosti.
Patentovaná konstrukce Trench
Vyšší efektivita u zdrojů střídavého/stejnosměrného napájení a převodníků DC/DC
Vysoká hustota výkonu a nízké napětí pro jízdu vpřed
Vyšší efektivita u zdrojů střídavého/stejnosměrného napájení a převodníků DC/DC
Vysoká hustota výkonu a nízké napětí pro jízdu vpřed
Charakteristiky
Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
|---|---|
| Typ montáže | Povrchová montáž |
| Typ balení | D2PAK (TO-263) |
| Maximální stejnosměrný propustný proud | 30A |
| Špičkové závěrné napětí opakovaně | 200V |
| Diodová konfigurace | Společná katoda |
| Typ diody | Schottky |
| Počet kolíků | 3 |
| Maximální pokles propustného napětí | 1.1V |
| Počet prvků na čip | 2 |
| Diodová technologie | Schottky |
| Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce | 250A |