standard: AEC-Q100Paměť FRAM FM25W256-G, SPI, 256kbit 32K x 8 bitůů 20ns 2,7 V až 5,5 V, počet kolíků: 8 -40 °C až +85

Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.

Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie

256-Kbit feroelektrická paměť s náhodným přístupem (F-RAM) logicky uspořádaná jako 32 K x 8
Vysoká výdrž 100 bilionů (1014) čtení a zápis
Uchovávání 151 let údajů
Funkce NoDelay™ se zapíše
Advanced high-reliability ferroelectric process
Velmi rychlé sériové periferní rozhraní (SPI)
Frekvence až 20 MHz
Přímá výměna hardwaru pro sériová flash paměť a paměť EEPROM
Podporuje režim SPI 0 (0, 0) a režim 3 (1, 1)
Sofistikované schéma ochrany proti zápisu
Hardwarová ochrana pomocí kolíku Write Protect (WP)
Softwarová ochrana pomocí instrukcí Write Disable (Zakázat zápis)
Ochrana bloku softwaru pro pole 1/4, 1/2 nebo celé
Nízká spotřeba energie
Aktivní proud 250 μA při 1 MHz
15 μA (typ) klidový proud
Provoz při velkém napětí: VDD = 2,7 V až 5,5 V.
Průmyslová teplota: -40 °C až +85 °C.
Souprava s 8 vývody pro malý integrovaný obvod (SOIC)

Fram (Ferroelektrická RAM)

Fram (Ferroelectric Random Access Memory) je energeticky nezávislá paměť, která využívá feroelektrický film jako kondenzátor pro ukládání dat. F-RAM má vlastnosti zařízení ROM i RAM a je vybavena vysokorychlostním přístupem, vysokou odolností v režimu zápisu, nízkou spotřebou energie, nestabilitou a vynikající odolností proti neoprávněné manipulaci. Je proto ideální pamětí pro použití na čipových kartách, které vyžadují vysoké zabezpečení a nízkou spotřebu energie, ale také na mobilních telefonech a dalších zařízeních.