standard: AEC-Q100Paměť FRAM FM24CL64B-G, I2C, 64kbit 8K x 8 bitůů 550ns 2,7 V až 3,65 V, počet kolíků: 8 -40 °C až +85
- Skladové číslo RS:
- 188-5402
- Výrobní číslo:
- FM24CL64B-G
- Výrobce:
- Infineon
2522 k dispozici s dodáním do 1 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.
Cena Kus (v zasuvnem prutu s 97)
67,06 Kč
(bez DPH)
81,15 Kč
(s DPH)
ks | Per unit | za tubu* |
97 - 97 | 67,06 Kč | 6 505,21 Kč |
194 - 485 | 60,22 Kč | 5 840,86 Kč |
582 - 970 | 57,64 Kč | 5 591,08 Kč |
1067 + | 54,50 Kč | 5 286,69 Kč |
*orientační cena |
- Skladové číslo RS:
- 188-5402
- Výrobní číslo:
- FM24CL64B-G
- Výrobce:
- Infineon
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
- Země původu (Country of Origin):
- US
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
64-Kbit ferroelektrická paměť s náhodným přístupem (F-RAM) logicky uspořádaná jako 8K x 8
Vysoká výdrž 100 bilionů (1014) čtení a zápis
Uchovávání 151 let údajů
Funkce NoDelay™ se zapíše
Advanced high-reliability ferroelectric process
Rychlé 2vodičové sériové rozhraní (I2C)
Frekvence až 1 MHz
Přímá výměna hardwaru pro sériovou paměť EEPROM (I2C)
Podporuje starší časování pro 100 kHz a 400 kHz
Nízká spotřeba energie
100 μA (typ), aktivní proud při 100 kHz
3 μA (typ) klidový proud
Provoz při napětí: VDD = 2,7 V až 3,65 V.
Průmyslová teplota: -40 °C až +85 °C.
Balení
Souprava s 8 vývody pro malý integrovaný obvod (SOIC)
8kolíková tenká duální plochá, bez kabelů (DFN)
Vysoká výdrž 100 bilionů (1014) čtení a zápis
Uchovávání 151 let údajů
Funkce NoDelay™ se zapíše
Advanced high-reliability ferroelectric process
Rychlé 2vodičové sériové rozhraní (I2C)
Frekvence až 1 MHz
Přímá výměna hardwaru pro sériovou paměť EEPROM (I2C)
Podporuje starší časování pro 100 kHz a 400 kHz
Nízká spotřeba energie
100 μA (typ), aktivní proud při 100 kHz
3 μA (typ) klidový proud
Provoz při napětí: VDD = 2,7 V až 3,65 V.
Průmyslová teplota: -40 °C až +85 °C.
Balení
Souprava s 8 vývody pro malý integrovaný obvod (SOIC)
8kolíková tenká duální plochá, bez kabelů (DFN)
Fram (Ferroelektrická RAM)
Fram (Ferroelectric Random Access Memory) je energeticky nezávislá paměť, která využívá feroelektrický film jako kondenzátor pro ukládání dat. F-RAM má vlastnosti zařízení ROM i RAM a je vybavena vysokorychlostním přístupem, vysokou odolností v režimu zápisu, nízkou spotřebou energie, nestabilitou a vynikající odolností proti neoprávněné manipulaci. Je proto ideální pamětí pro použití na čipových kartách, které vyžadují vysoké zabezpečení a nízkou spotřebu energie, ale také na mobilních telefonech a dalších zařízeních.
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
---|---|
Velikost paměti | 64kbit |
Organizace | 8K x 8 bitů |
Typ rozhraní | I2C |
Šířka datové sběrnice | 8bit |
Maximální čas náhodného přístupu | 550ns |
Typ montáže | Povrchová montáž |
Typ balení | SOIC |
Počet kolíků | 8 |
Rozměry | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Délka | 4.97mm |
Maximální provozní napájecí napětí | 3,65 V |
Šířka | 3.98mm |
Výška | 1.48mm |
Maximální pracovní teplota | +85 °C |
Minimální provozní napájecí napětí | 2,7 V |
Automobilový standard | AEC-Q100 |
Minimální provozní teplota | -40 °C |
Počet slov | 8k |
Počet bitů na slovo | 8bit |