řada: OptiMOS PMOSFET BSC030P03NS3GAUMA1 P-kanálový 100 A 30 V, TDSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS:: 906-4309
Výrobní číslo:: BSC030P03NS3GAUMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS PMOSFET BSC030P03NS3GAUMA1 P-kanálový 100 A 30 V, TDSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

8050 k dispozici s dodáním do 1 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.

Standardní dodávka

Přidáno

Cena Kus (v jednotce baleni à 10)

51,01 Kč

(bez DPH)

61,72 Kč

(s DPH)

Ks	Per unit	za balení*
10 - 10	51,01 Kč	510,06 Kč
20 - 40	48,46 Kč	484,61 Kč
50 - 90	46,41 Kč	464,11 Kč
100 - 240	44,39 Kč	443,86 Kč
250 +	41,32 Kč	413,23 Kč
*orientační cena

Skladové číslo RS:: 906-4309
Výrobní číslo:: BSC030P03NS3GAUMA1
Výrobce:: Infineon

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™P-Channel výkonové tranzistory

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS ™ P-Channel jsou navrženy tak, aby poskytovaly vylepšené funkce odpovídající kvalitnímu výkonu. Mezi funkce patří mimořádně nízká ztráta spínací úrovně, odolnost proti stavu, hodnocení Avalanche a také kvalifikace AEC pro automobilový průmysl. Aplikace zahrnují stejnosměrné napětí, řízení motoru, automobilový průmysl a elektronickou mobilitu.

Režim rozšíření
Lavinová funkčnost
Nízké spínací a vodičové ztráty výkonu
Pokovování bez olova PB; vyhovuje směrnici RoHS
Standardní balení
Řada P-Channel OptiMOS™: Rozsah teplot od -55 °C do +175 °C.

Tranzistory MOSFET, Infineon

Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Specifikace

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	P
Maximální stejnosměrný odběrový proud	100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	30 V
Typ balení	TDSON
Řada	OptiMOS P
Typ montáže	Povrchová montáž
Počet kolíků	8
Maximální odpor kolektor/zdroj	4,6 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Maximální ztrátový výkon	125 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-25 V, +25 V
Maximální pracovní teplota	+150 °C
Délka	6.1mm
Počet prvků na čip	1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	140 nC při 10 V
Šířka	5.35mm
Materiál tranzistoru	Si
Propustné napětí diody	1.1V
Minimální provozní teplota	-55 °C
Výška	1.1mm

Skladové číslo RS:: 906-4309
Výrobní číslo:: BSC030P03NS3GAUMA1
Výrobce:: Infineon