MOSFET MDD1503RH N-kanálový 87 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Produkt již není v nabídce

Technické reference

Tyto nízkonapěťové (LV) MOSFET poskytují nízký odpor stavu a vysoký výkon přepínání.

Tranzistory MOSFET, MagnaChip

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	N
Maximální stejnosměrný odběrový proud	87 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	30 V
Typ balení	DPAK (TO-252)
Typ montáže	Povrchová montáž
Počet kolíků	3
Maximální odpor kolektor/zdroj	6,8 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody	2.7V
Maximální ztrátový výkon	59,5 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	28 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota	+150 °C
Počet prvků na čip	1
Materiál tranzistoru	Si
Délka	6.73mm
Šířka	6.22mm
Propustné napětí diody	1.1V
Minimální provozní teplota	-55 °C
Výška	2.39mm