- Skladové číslo RS:
- 812-3139
- Výrobní číslo:
- SI2365EDS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
8800 k dispozici s dodáním do 1 pracovních dnů. Doručení může trvat déle z důvodu celního odbavení.
Standardní dodávka
Přidáno
Cena Kus (v jednotce baleni à 50)
7,04 Kč
(bez DPH)
8,52 Kč
(s DPH)
Ks | Per unit | za balení* |
50 - 450 | 7,04 Kč | 352,00 Kč |
500 - 1200 | 4,93 Kč | 246,25 Kč |
1250 - 2450 | 3,87 Kč | 193,65 Kč |
2500 - 4950 | 3,52 Kč | 175,85 Kč |
5000 + | 2,82 Kč | 140,80 Kč |
*orientační cena |
- Skladové číslo RS:
- 812-3139
- Výrobní číslo:
- SI2365EDS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
---|---|
Typ kanálu | P |
Maximální stejnosměrný odběrový proud | 4,7 A |
Maximální napětí kolektor/zdroj | 20 V |
Typ balení | SOT-23 |
Typ montáže | Povrchová montáž |
Počet kolíků | 3 |
Maximální odpor kolektor/zdroj | 67.5 mΩ |
Režim kanálu | Vylepšení |
Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 0.4V |
Maximální ztrátový výkon | 1,7 W |
Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý |
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -8 V, +8 V |
Maximální pracovní teplota | +150 °C |
Počet prvků na čip | 1 |
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 23,8 nC při 8 V |
Šířka | 1.4mm |
Materiál tranzistoru | Si |
Délka | 3.04mm |
Výška | 1.02mm |
Minimální provozní teplota | -50 °C |
- Skladové číslo RS:
- 812-3139
- Výrobní číslo:
- SI2365EDS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay